1分11选五

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        位置:51電子網 » 企業新聞

        TPD2E007DCKR

        發布時間:2020/5/2 21:48:00 訪問次數:68發布企業:西旗科技(深圳)有限公司





        描述:IS61WV51216EDBLL-10TLI
        ISSI IS61WV51216EDALL和IS61 / 64WV51216EDBLL是高速8M位靜態RAM按16位組織為512K字。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的過程加上創新電路設計技術,可產生高性能和低功耗設備。當CE為高(取消擇)時,設備假定待機模式下功耗可以達到降低了CMOS輸入電平。通過使用芯片使能和輸出使能輸入CE和OE,可以輕松擴展存儲器。 activeLOW寫使能(WE)控制著存儲器的寫和讀。數據字節允許高字節(UB)和低字節(LB)訪問。該器件采用JEDEC標準44引腳封裝TSOP II型和48引腳迷你BGA(6mm x 8mm)。


        特征:IS61WV51216EDBLL-10TLI
        •高速訪問時間:8、10、20 ns
        •高性能,低功耗CMOS工藝
        •多個中心電源和接地引腳可增強抗噪能力
        •通過CE和OE選項輕松擴展內存
        •CE掉電
        •完全靜態操作:無需時鐘或刷新
        •TTL兼容輸入和輸出
        •單電源
        – Vdd = 1.65V至2.2V(IS61WV51216EDALL)
        – Vdd = 2.4V至3.6V(IS61 / 64WV51216EDBLL)
        •可用軟件包:
        – 48球miniBGA(6mm x 8mm)
        – 44引腳TSOP(II型)
        •工業和汽車溫度支持
        •無鉛
        •高低字節數據控制


        制造商:IS61WV51216EDBLL-10TLI
        ISSI
        產品種類:
        靜態隨機存取存儲器
        RoHS:
        詳細信息
        存儲容量:
        8 Mbit
        組織:
        516 k x 16
        訪問時間:
        10 ns
        接口類型:
        Parallel
        電源電壓-最大:
        3.6 V
        電源電壓-最小:
        2.4 V
        電源電流—最大值:
        50 mA
        最小工作溫度:
        - 40 C
        最大工作溫度:
        + 85 C
        安裝風格:
        SMD/SMT
        封裝 / 箱體:
        TSOP-44
        封裝:
        Tray
        存儲類型:
        SDR
        系列:
        IS61WV51216EDBLL
        類型:
        Asynchronous
        商標:
        ISSI
        濕度敏感性:
        Yes
        產品類型:
        SRAM
        子類別:
        Memory & Data Storage
        單位重量:
        470 mg












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